{"id":2348,"date":"2025-02-15T08:31:12","date_gmt":"2025-02-15T08:31:12","guid":{"rendered":"https:\/\/www.esdgate.com\/?p=2348"},"modified":"2025-03-04T08:15:00","modified_gmt":"2025-03-04T08:15:00","slug":"esd-sensitive-devices","status":"publish","type":"post","link":"https:\/\/www.esdgate.com\/es\/dispositivos-sensibles-a-la-esd\/","title":{"rendered":"Dispositivos sensibles a ESD 101: Riesgos, pruebas de sensibilidad, manipulaci\u00f3n y protecci\u00f3n"},"content":{"rendered":"

\u00bfQu\u00e9 es un dispositivo sensible a ESD?<\/h2>\n\n\n\n

Los dispositivos sensibles a ESD son componentes electr\u00f3nicos vulnerables a los da\u00f1os causados por descarga electrost\u00e1tica<\/strong><\/em><\/a> (ESD). Estos dispositivos pueden verse perjudicados por picos repentinos de tensi\u00f3n provocados por la electricidad est\u00e1tica. Incluso las descargas de baja energ\u00eda (por ejemplo, unos pocos cientos de voltios) pueden degradar el rendimiento o causar un fallo inmediato.<\/p>\n\n\n\n

\u00bfQu\u00e9 dispositivos son sensibles a las ESD?<\/h2>\n\n\n\n

Entre los dispositivos sensibles a ESD m\u00e1s comunes se incluyen:<\/p>\n\n\n\n

    \n
  1. Circuitos integrados (CI)<\/a><\/em><\/mark><\/strong><\/strong>: Microprocesadores, chips de memoria (por ejemplo, RAM, Flash) y puertas l\u00f3gicas (por ejemplo, CMOS, TTL).<\/li>\n\n\n\n
  2. Transistores<\/strong>: MOSFET (transistores de efecto de campo semiconductores de \u00f3xido met\u00e1lico) y BJT (transistores de uni\u00f3n bipolar).<\/li>\n\n\n\n
  3. Diodos<\/strong>: LED (diodos emisores de luz) y diodos l\u00e1ser.<\/li>\n\n\n\n
  4. Sensores de precisi\u00f3n<\/strong>: Sensores de imagen (por ejemplo, CCD, CMOS) y sensores MEMS (sistemas microelectromec\u00e1nicos).<\/li>\n\n\n\n
  5. Componentes anal\u00f3gicos<\/strong>: Amplificadores operacionales (Op-Amps) y reguladores de tensi\u00f3n.<\/li>\n\n\n\n
  6. Semiconductores discretos<\/strong>: Tiristores e IGBT (transistores bipolares de puerta aislada).<\/li>\n\n\n\n
  7. Componentes pasivos con funciones avanzadas<\/strong>: Resistencias de capa fina y condensadores de alta frecuencia.<\/li>\n<\/ol>\n\n\n\n

    Estos dispositivos son muy susceptibles de sufrir da\u00f1os por descargas electrost\u00e1ticas (ESD) debido a sus peque\u00f1as y delicadas estructuras internas.<\/p>\n\n\n\n

    \u00bfC\u00f3mo puede da\u00f1ar la ESD un dispositivo sensible a la ESD?<\/h2>\n\n\n\n
    \"Desglose
    Rotura de los \u00f3xidos de las puertas de los MOSFET<\/em><\/figcaption><\/figure>\n\n\n\n

    La ESD da\u00f1a los dispositivos sensibles mediante impulsos de alta tensi\u00f3n\/corriente generados durante la descarga electrost\u00e1tica. Los mecanismos clave incluyen:<\/p>\n\n\n\n

      \n
    1. Sobrecarga t\u00e9rmica<\/strong>: La r\u00e1pida transferencia de energ\u00eda funde o vaporiza diminutas v\u00edas conductoras (por ejemplo, las uniones de los transistores), provocando un fallo permanente.<\/li>\n\n\n\n
    2. Desglose del aislamiento<\/strong>: La alta tensi\u00f3n perfora las capas diel\u00e9ctricas finas (por ejemplo, los \u00f3xidos de las puertas de los MOSFET), creando cortocircuitos o fugas.<\/li>\n\n\n\n
    3. Inyecci\u00f3n de carga<\/strong>: La carga est\u00e1tica altera las propiedades de los semiconductores, degradando su rendimiento (por ejemplo, umbrales desplazados en la l\u00f3gica CMOS).<\/li>\n\n\n\n
    4. Defectos latentes<\/strong>: Los da\u00f1os parciales pueden debilitar los componentes y provocar fallos prematuros durante el funcionamiento.<\/li>\n<\/ol>\n\n\n\n

      Incluso las descargas de baja energ\u00eda (por ejemplo, <100 V) pueden da\u00f1ar la nanoelectr\u00f3nica moderna.<\/p>\n\n\n\n

      Cuando transporte dispositivos sensibles a ESD de una instalaci\u00f3n a otra, utilice?<\/h2>\n\n\n\n

      Para transportar y almacenar de forma segura los dispositivos sensibles a ESD, utilice bolsas de protecci\u00f3n contra la electricidad est\u00e1tica, espuma conductora o contenedores ESD conectados a tierra. Mantenga el control de la humedad, evite el estr\u00e9s f\u00edsico y etiquete los paquetes para garantizar el cumplimiento de las normas ESD, como por ejemplo ANSI\/ESD S541<\/mark><\/strong><\/em><\/a> & IEC-61340-5-3-2022<\/mark><\/strong><\/em><\/a> .<\/p>\n\n\n\n

      \u00bfCu\u00e1l es la tensi\u00f3n m\u00ednima de descarga electrost\u00e1tica (ESD) que puede da\u00f1ar los dispositivos sensibles a ESD?<\/h2>\n\n\n\n

      Los dispositivos sensibles a ESD pueden sufrir da\u00f1os por tensiones de hasta 20 voltios, imperceptibles para el ser humano. Los componentes avanzados, como los circuitos integrados o los MOSFET, son vulnerables incluso a niveles m\u00e1s bajos.<\/p>\n\n\n\n

      \u00bfC\u00f3mo manipular los dispositivos sensibles a ESD?<\/h2>\n\n\n\n

      La manipulaci\u00f3n de dispositivos sensibles a las descargas electrost\u00e1ticas (ESD) requiere un conocimiento exhaustivo de los materiales con los que se trabaja y, en particular, de su vulnerabilidad a las descargas electrost\u00e1ticas (ESD). Una buena Programa de control ESD<\/mark><\/a><\/strong><\/em> se basa en la identificaci\u00f3n de los dispositivos m\u00e1s sensibles a las ESD, as\u00ed como en la evaluaci\u00f3n de sus niveles de susceptibilidad. Esto implica familiarizarse con los Modelo del cuerpo humano (MCH)<\/strong> y el Modelo de dispositivo cargado (MDC)<\/strong> \u00edndices de sensibilidad de todos los equipos de sus instalaciones.<\/p>\n\n\n\n

      Modelo del cuerpo humano (MCH)<\/strong><\/h3>\n\n\n\n

      Una de las causas m\u00e1s comunes de un evento ESD es la transferencia directa de carga electrost\u00e1tica del cuerpo humano al dispositivo ESDS. La direcci\u00f3n Modelo del cuerpo humano (MCH)<\/strong> imita este escenario simulando c\u00f3mo fluye la descarga electrost\u00e1tica desde la yema del dedo de una persona parada hasta un dispositivo. As\u00ed es como funciona:<\/p>\n\n\n\n

      \"Circuito<\/figure>\n\n\n\n
        \n
      1. Un condensador de 100 pF se carga a trav\u00e9s de una resistencia de alta resistencia (normalmente en el rango de los megaohmios) mediante un interruptor.<\/li>\n\n\n\n
      2. La carga almacenada se descarga a trav\u00e9s de una resistencia de 1.500 ohmios conectada en serie al dispositivo de prueba.<\/li>\n\n\n\n
      3. A continuaci\u00f3n, el dispositivo se conecta a tierra o cae a un estado de bajo potencial.<\/li>\n<\/ol>\n\n\n\n

        Este m\u00e9todo, normalizado en ANSI\/ESDA\/JEDEC JS-001-2024<\/mark><\/em><\/a><\/strong> (Prueba de sensibilidad a las descargas electrost\u00e1ticas - Modelo del cuerpo humano), garantiza una evaluaci\u00f3n coherente de la resistencia de un componente a las descargas electrost\u00e1ticas provocadas por el ser humano.<\/p>\n\n\n\n

        Modelo de dispositivo cargado (MDC)<\/strong><\/p>\n\n\n\n

        Otra causa importante de da\u00f1os por ESD es que el propio dispositivo se cargue durante los procesos de fabricaci\u00f3n o manipulaci\u00f3n, lo que puede provocar una descarga r\u00e1pida cuando entra en contacto con una superficie conductora a un potencial inferior. El sitio Modelo de dispositivo cargado (MDC)<\/strong> reproduce este fen\u00f3meno simulando la descarga r\u00e1pida de la carga est\u00e1tica acumulada de un componente cargado a una superficie conectada a tierra.
        Funciona as\u00ed:<\/p>\n\n\n\n

        \"Prueba<\/figure>\n\n\n\n
          \n
        1. Fase de carga<\/strong>: El dispositivo adquiere carga electrost\u00e1tica por fricci\u00f3n o contacto con materiales aislantes (por ejemplo, embalajes, cintas transportadoras), actuando como una placa de un condensador. La carga almacenada depende de la capacitancia inherente del dispositivo (normalmente 10-200 pF) y de las condiciones ambientales.<\/li>\n\n\n\n
        2. Fase de descarga<\/strong>: Cuando la patilla de un dispositivo cargado entra en contacto con un conductor conectado a tierra, la energ\u00eda almacenada se descarga bruscamente a trav\u00e9s de la patilla. Esta descarga genera picos de corriente extremadamente altos (de hasta 20 kA) en cuesti\u00f3n de nanosegundos debido a la m\u00ednima resistencia e inductancia en el trayecto.<\/li>\n\n\n\n
        3. Configuraci\u00f3n de prueba<\/strong>: Las pruebas CDM eval\u00faan la resistencia de un dispositivo carg\u00e1ndolo a una tensi\u00f3n definida (por ejemplo, 250-1000 V por ANSI\/ESDA\/JEDEC JS-002<\/mark><\/strong><\/em><\/a>) y provocando la descarga a trav\u00e9s de una v\u00eda de baja resistencia. La configuraci\u00f3n de la prueba tiene en cuenta la orientaci\u00f3n del dispositivo, el tipo de envase y la capacitancia par\u00e1sita.<\/li>\n<\/ol>\n\n\n\n

          10 consejos fundamentales para manipular dispositivos sensibles a ESD<\/h2>\n\n\n\n

          La manipulaci\u00f3n de dispositivos sensibles a las descargas electrost\u00e1ticas (ESD) requiere una atenci\u00f3n cuidadosa para evitar da\u00f1os. He aqu\u00ed diez consejos fundamentales para garantizar una manipulaci\u00f3n segura:<\/p>\n\n\n\n

          \"\"<\/figure>\n\n\n\n
            \n
          1. Utilice espacios de trabajo ESD seguros<\/mark><\/strong>
            Trabaje siempre en un             Zona protegida ESD<\/mark><\/a><\/em><\/strong> (EPA) equipados con alfombrillas antiest\u00e1ticas & Suelos ESD<\/mark><\/strong><\/em><\/a>superficies de trabajo conectadas a tierra y S\u00edmbolos ESD<\/mark><\/a><\/strong><\/em>.<\/li>\n\n\n\n
          2. Lleve ropa de seguridad ESD<\/mark><\/strong>
            Utilizar antiest\u00e1tico             correas de mu\u00f1eca<\/a><\/mark><\/strong><\/em>, correas del tal\u00f3n<\/mark><\/a><\/strong><\/em>y batas ESD para evitar la acumulaci\u00f3n de electricidad est\u00e1tica en el cuerpo.<\/li>\n\n\n\n
          3. Con\u00e9ctese a tierra correctamente<\/strong><\/mark>
            Conecte su mu\u00f1equera antiest\u00e1tica a un punto conectado a tierra antes de manipular cualquier dispositivo sensible a ESD.<\/li>\n\n\n\n
          4. Manipule los dispositivos por los bordes<\/strong><\/mark>
            Evite tocar las patillas, los conectores o los circuitos directamente. Sujete los componentes por los bordes para minimizar el riesgo de ESD.<\/li>\n\n\n\n
          5. Utilice un embalaje seguro ESD<\/mark><\/strong>
            Almacene y transporte los dispositivos sensibles a ESD en bolsas antiest\u00e1ticas, espuma conductora o contenedores blindados.<\/li>\n\n\n\n
          6. Control de los niveles de humedad<\/mark><\/strong>
            Mantenga una humedad relativa de 30-70% en el espacio de trabajo para reducir la acumulaci\u00f3n de electricidad est\u00e1tica.<\/li>\n\n\n\n
          7. Utilizar ionizadores para la neutralizaci\u00f3n<\/strong><\/mark>
            Utilice ionizadores para neutralizar las cargas est\u00e1ticas en superficies y materiales no conductores en la EPA.<\/li>\n\n\n\n
          8. Comprobaci\u00f3n diaria de los dispositivos de puesta a tierra ESD<\/mark><\/strong>
            Utilice             Comprobador combinado ESD<\/mark><\/a><\/strong><\/em> comprobar a diario los sistemas personales de puesta a tierra y asegurarse de que funcionan correctamente.<\/li>\n\n\n\n
          9. Evite los materiales altamente est\u00e1ticos<\/mark><\/strong>
            Mantenga los pl\u00e1sticos, vinilos y otros materiales de alta est\u00e1tica alejados de los dispositivos y zonas de trabajo sensibles a ESD.<\/li>\n\n\n\n
          10. Limitar el movimiento en la EPA<\/mark><\/strong>
            Minimice los movimientos innecesarios en la EPA para reducir la generaci\u00f3n de electricidad est\u00e1tica causada por la fricci\u00f3n o las corrientes de aire.<\/li>\n<\/ol>\n\n\n\n

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            \u00bfQu\u00e9 es un dispositivo sensible a ESD? Los dispositivos sensibles a ESD son componentes electr\u00f3nicos vulnerables a los da\u00f1os causados por descargas electrost\u00e1ticas (ESD). Estos dispositivos pueden resultar da\u00f1ados por picos repentinos de tensi\u00f3n provocados por la electricidad est\u00e1tica. Incluso las descargas de baja energ\u00eda (por ejemplo, unos pocos cientos de voltios) pueden degradar el rendimiento o causar un fallo inmediato. \u00bfQu\u00e9 dispositivos son sensibles a las ESD? 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